长鑫用一份半年超500亿净利润的优秀财报，把整个存储芯片的景气度通过产业链传导机制，向上游半导体材料端释放巨大的需求信号。
长鑫存储295亿元的IPO募资计划中，130亿元投向DRAM技术升级，90亿元布局HBM、存算一体等前瞻技术。当前国产DRAM全球市占率仅约7.67%，远低于中国大陆30%至35%的需求占比，意味着未来三到五年内仍有近四倍的扩产空间。前驱体、光刻胶、湿电子化学品、CMP抛光材料等核心上游材料——每一个都是存储芯片制程中不可替代的消耗性关键物料，都将成为本轮扩产周期中订单能见度最高、业绩兑现最确定的产业环节。
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